El avance en la metalización de molibdeno y manganeso en la tecnología de unión de cerámica a metal utilizada en dispositivos electrónicos de vacío

Aplicación: Aeroespacial, Electrónica, Medicina, Refractario
Composición del material: Alúmina, Al2O3
Especialidad: Alta aislamiento

Products Details

Información Básica.

Tipo
Parte de cerámica
tratamiento
vidriado, pulido
color
blanco+metal
espesor del revestimiento
8-30μm
capa chapada
níquel/cobre/oro
servicio de procesamiento
soldadura, moldeo
espesor de la chapa
2-9μm
temperatura de uso máx
1600ºc
Paquete de Transporte
embalaje de cartón
Especificación
personalizado
Marca Comercial
innovadores
Origen
Fujian, China

Descripción de Producto

 

INNOVACERA Alumina Cerámica a Metal Sello vacío Feedthrough para Alta Presión fuerte

La metalización de molibdeno/manganeso desarrolló la tecnología en el ensamblaje de cerámica a metal soldado, proporciona alta resistencia mecánica y buen aislamiento eléctrico. Al principio, se utiliza en dispositivos electrónicos de vacío, gradualmente aplicados a semiconductores, circuitos integrados, fuentes de luz eléctrica, física de alta energía, aeroespacial, industria química, metalurgia, instrumentación y fabricación de maquinaria y otros campos industriales.

Así que la forma de elegir un material se vuelve cada vez más importante para una buena soldadura fuerte al vacío. Aquí estamos principalmente discutiendo sobre 3 tipos diferentes de materiales que se utilizarán para cerámica-metal.
 

 
Material
Alúmina/BeO/AlN
Capa de recubrimiento
Lu/Mn
Grosor:8-30μm
Capa chapada
Níquel, cobre, oro, etc.  
Grosor: 2-9μm
Tratamiento
Vidriado, pulido
Dimensión
Personalizado
Tipos de unión
Cerámica + Mo/Mn metalizado + chapado ni
Cerámica + Mo/Mn metalizado + chapado AG
Cerámica + Mo/Mn metalizado + chapado Au
Cerámica + impresión AG
 
The Molybdenum/Manganese Metallization Breakthrough on Technology of Ceramic to Metal Brazed Used in Vacuum Electronic Devices

1. Cerámica
* Al2O3 * BeO * BN * AlN

2. Metala
* aleación de Kovar * OFC * Acero inoxidable

* Acero suave

3. Soldadura
* AG * AG-Cu * Cu * AU-Cu * Au-ni
 
 
The Molybdenum/Manganese Metallization Breakthrough on Technology of Ceramic to Metal Brazed Used in Vacuum Electronic Devices
The Molybdenum/Manganese Metallization Breakthrough on Technology of Ceramic to Metal Brazed Used in Vacuum Electronic Devices
The Molybdenum/Manganese Metallization Breakthrough on Technology of Ceramic to Metal Brazed Used in Vacuum Electronic Devices

Los materiales cerámicos deben ser estabilizados a alta temperatura y buena expansión térmica del coeficiente, INNOVACERA aplicar principalmente el Al2O3. Dado que la cerámica no se humedecer directamente, lo que impide la adherencia de las capas de metal fundido y adhesivos, añadió que los diferentes coeficientes de expansión térmica (CTE) entre la cerámica y el metal. El avance en tales dificultades es con un proceso de soldadura o soldadura fuerte.
 
Capa metálica aplicada sobre componentes cerámicos mediante metalización y plado de Mo/Mn o soldadura fuerte activa, después de eso, los componentes cerámicos y metálicos se unen mediante la fusión y posterior solidificación de un metal-soldadura de relleno, con diferentes soldaduras para diferentes aplicaciones en diferentes temperaturas de trabajo.

The Molybdenum/Manganese Metallization Breakthrough on Technology of Ceramic to Metal Brazed Used in Vacuum Electronic Devices

 
Propiedades Cerámicas de alúmina
Propiedades
Unidades
Cerámica de alúmina
Pureza
peso %
95%
99%
99,8%
Densidad de volumen
g/cm3
3,65
3,8
≥3,89
Absorción de agua
%
0
0
0
Tamaño de cristal (tamaño de grano)
μm
4-5
4-5
4-5
Vickers Hardness, HV1,0
GPA
14
1600
≥15
Fuerza flexural
MPa
300
310
≥300
Coeficiente de lineal
Expansión
20-500ºC.
1x10-6 mm/ºC
6,5-7,5
6,5-7,5
6,5~7,5
20-800ºC.
6,5-8,0
6,5-8,0
6,5~8,0
Conductividad térmica
W/M·K (20ºC)
20
25
≥20,9
Capacidad de calor específica
KJ/(kg·K)
≥0,8
≥0,8
≥0,8
Rigidez dieléctrica
KV/mm
≥12
15*106
≥12
Resistividad del volumen
Ω·cm 20ºC.
≥1014
≥1014
≥1014
Ω·cm 300ºC.
≥1011
≥1011
≥1011
Ω·cm 500ºC.
≥109
≥109
≥109
Constante dieléctrica
1MHz
9
9-10
9-10
Tangente de pérdida dieléctrica
1MHz
≤4x10-4
≤2x10-4
≤3x10-4
Rugosidad de la superficie
μm
0,4 después de la máquina
0,1-0,4 después de la máquina
0,1-0,4 después de la máquina
Temperatura de funcionamiento máxima
ºC
1600
1600
1650


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